收藏本站
型号 IPD600N25N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD600N25N3 G PDF
代理商 IPD600N25N3 G
产品目录绘图 Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2350pF @ 100V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD600N25N3 GDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R2K0C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
IPD60R2K0C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
IPD60R2K0C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
IPD60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
IPD60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
IPD60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
IPD60R385CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
IPD60R385CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
IPD60R385CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
IPD60R450E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
IPD60R450E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
IPD60R450E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252